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12位ADC OTP

Part No. IRC VDD ILRC ROM RAM I/O TIMER STACK ADC PWM E2 Package
HS26P10 16MHz 2.2~5.0V 32K 2K 128 6/12/14
/16/18
2*8bit 1*16bit 8 (5+1)*12bit 3*8bit - SOP8/SOP14
/SOP16/SOP18
/SOP20/DIP8
/DIP14/DIP16
/DIP18/DIP20
/TSSOP20

产品简介:

       HS26P10是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内部包含一个2K*16-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。



CPU特性:

        ◆ 除了跳转指令2个指令周期外,其他指令都是一个指令周期

        ◆ 2K*16位片内ROM

        ◆ 可直接、间接寻址

        ◆ 3个8位定时器:

              TC0:外部事件计数器/PWM0/ Buzzer输出。

              TC1:外部事件计数器/PWM1/ Buzzer输出。 

              TC2:外部事件计数器/PWM2/ Buzzer输出 

        ◆  内置上电复位,掉电复位

        ◆  内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT

        ◆  内置可预分频WDT

        ◆  四种振荡模式
              内置高速振荡器16MHz

              内置低速振荡器32K

              外置高速晶体振荡器4MHz~16MHz

              外置低速晶体振荡器32.768KHz

        ◆  一个安全位(代码寄存器中)保护程序不被读出

        ◆  128*8 bit SRAM

        ◆  3组标准双向I/O端口

        ◆  8级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆  6种可用中断

              4个内部中断:TC0、TC1、TC2、ADC

        ◆  2个外部中断:INT0,INT1

        ◆  ADC

              5个外部ADC输入

              1个内部电池检测

              内部AD参考电压(VDD、4V、3V、2V)



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HS26P10E 16MHz 2.2~5.0V 32K 2K 128 6/14/16 2*8bit 1*16bit 8 (5+1)*12bit 3*8bit 256*8 SOP8/SOP16
/SOP20

产品简介:

       HS26P10E是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内部包含一个2K*16-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。



CPU特性:

        ◆   除了跳转指令2个指令周期外,其他指令都是一个指令周期

        ◆   2K*16位片内ROM
        ◆   可直接、间接寻址
        ◆   3个8位定时器:

                TC0:外部事件计数器/PWM0/ Buzzer输出。

                TC1:外部事件计数器/PWM1/ Buzzer输出。 

                TC2:外部事件计数器/PWM2/ Buzzer输出 

        ◆  内置上电复位,掉电复位

        ◆  内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT

        ◆  内置可预分频WDT

        ◆  四种振荡模式

               内置高速振荡器16MHz

               内置低速振荡器32K

               外置高速晶体振荡器4MHz~16MHz

               外置低速晶体振荡器32.768KHz

        ◆  一个安全位(代码寄存器中)保护程序不被读出
        ◆  128*8 bit SRAM
        ◆  3组标准双向I/O端口
        ◆  8级用于子程序嵌套的堆栈
        ◆  6种可用中断

               4个内部中断:TC0、TC1、TC2、ADC

        ◆  2个外部中断:INT0,INT1

        ◆  ADC

               5个外部ADC输入

              1个内部电池检测

              内部AD参考电压(VDD、4V、3V、2V)




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HS26P003E 16MHz 2.2~5.0V 32K 2K 128 16 2*8bit 1*16bit 8 (5+1)*12bit 3*8bit 256*8 TSSOP20

产品简介:

       HS26P003E是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内部包含一个2K*16-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。



CPU特性:

        ◆ 除了跳转指令2个指令周期外,其他指令都是一个指令周期

        ◆  2K*16位片内ROM

        ◆  可直接、间接寻址

        ◆  3个8位定时器:

              TC0:外部事件计数器/PWM0/ Buzzer输出。

              TC1:外部事件计数器/PWM1/ Buzzer输出。 

              TC2:外部事件计数器/PWM2/ Buzzer输出 

        ◆  内置上电复位,掉电复位
        ◆  内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT
        ◆  内置可预分频WDT
        ◆  四种振荡模式

              内置高速振荡器16MHz

              内置低速振荡器32K

              外置高速晶体振荡器4MHz~16MHz

              外置低速晶体振荡器32.768KHz

        ◆  一个安全位(代码寄存器中)保护程序不被读出
        ◆  128*8 bit SRAM
        ◆  3组标准双向I/O端口
        ◆  8级用于子程序嵌套的堆栈
        ◆  6种可用中断

               4个内部中断:TC0、TC1、TC2、ADC

        ◆  2个外部中断:INT0,INT1
        ◆  ADC

               5个外部ADC输入

               1个内部电池检测

               内部AD参考电压(VDD、4V、3V、2V)



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HS23P3022 16MHz 2.2~5.0V 32K 2K 128 6 2*8bit 1*16bit 8 (2+1)*12bit 3*8bit 256*8 SOP8

产品简介:

       HS23P3022是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内部包含一个2K*16-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。



CPU特性:

        ◆ 除了跳转指令2个指令周期外,其他指令都是一个指令周期

        ◆ 2K*16位片内ROM

        ◆  可直接、间接寻址

        ◆  3个8位定时器:

              TC0:PWM0/ Buzzer输出。

              TC1:外部事件计数器/PWM1/ Buzzer输出。 

              TC2:PWM2/ Buzzer输出 

        ◆  内置上电复位,掉电复位

        ◆  内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT

        ◆  内置可预分频WDT

        ◆  两种振荡模式

              内置高速振荡器16MHz

              内置低速振荡器32K

        ◆  一个安全位(代码寄存器中)保护程序不被读出

        ◆  128*8 bit SRAM

        ◆  3组标准双向I/O端口

        ◆  8级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆  5种可用中断

               4个内部中断:TC0、TC1、TC2、ADC

        ◆  1个外部中断:INT1

        ◆  ADC

               2个外部ADC输入

               1个内部电池检测

               内部AD参考电压(VDD、4V、3V、2V)



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HS23P2721 16MHz 2.2~5.0V 32K 2K 96 12 4*8bit 5 (5+1)*12bit 4*8bit - SOP14

产品简介:

       HS23P2721是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内部包含一个12位的ADC,一个2K*16-bit的EPROM。



CPU特性:

        ◆   除了跳转指令2个指令周期外,其他指令都是一个指令周期

        ◆   2K*16位片内EPROM

        ◆  可直接、间接寻址

        ◆   4个8位定时器:

              TC0:外部事件计数器/PWM0/ Buzzer输出。

              TC1:外部事件计数器/PWM1/ Buzzer输出。 

              TC2:外部事件计数器/PWM2/ Buzzer输出 

              TC3:外部事件计数器/PWM3(PWM占空比可配置为1/256)。

        ◆   内置上电复位,掉电复位

        ◆   内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT

        ◆   内置可预分频WDT

        ◆   两种振荡模式

              内置高速振荡器16MHz

              内置低速振荡器32K

        ◆   一个安全位(代码寄存器中)保护程序不被读出

        ◆   96*8 bit SRAM

        ◆   3组标准双向I/O端口

        ◆   5级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆   7种可用中断

               5个内部中断:TC0、TC1、TC2、TC3、ADC

        ◆   2个外部中断:INT0,INT1

        ◆   ADC

               5个外部ADC输入

               1个内部电池检测

               内部AD参考电压(VDD、4V、3V、2V)

        ◆   内置可校准16MHz振荡器(最大可配置为24MHz频率,且频率可通过寄存器软件调节)



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HS23P2711 16MHz 2.2~5.0V 32K 1K 96 12 4*8bit 5 (5+1)*12bit 4*8bit - SOP14

产品简介:

       HS23P2711是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内部包含一个12位的ADC,一个1K*16-bit的EPROM。



CPU特性:

        ◆   除了跳转指令2个指令周期外,其他指令都是一个指令周期

        ◆   1K*16位片内EPROM

        ◆   可直接、间接寻址

        ◆   4个8位定时器:

              TC0:外部事件计数器/PWM0/ Buzzer输出。

              TC1:外部事件计数器/PWM1/ Buzzer输出。 

              TC2:外部事件计数器/PWM2/ Buzzer输出 

              TC3:外部事件计数器/PWM3(PWM占空比可配置为1/256)。

        ◆   内置上电复位,掉电复位

        ◆   内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT

        ◆   内置可预分频WDT

        ◆   两种振荡模式

              内置高速振荡器16MHz

              内置低速振荡器32K

        ◆   一个安全位(代码寄存器中)保护程序不被读出

        ◆   96*8 bit SRAM

        ◆   3组标准双向I/O端口

        ◆   5级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆   7种可用中断

               5个内部中断:TC0、TC1、TC2、TC3、ADC

        ◆   2个外部中断:INT0,INT1

        ◆   ADC

               5个外部ADC输入

               1个内部电池检测

               内部AD参考电压(VDD、4V、3V、2V)

        ◆   内置可校准16MHz振荡器(最大可配置为24MHz频率,且频率可通过寄存器软件调节)



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HS23P2710 16MHz 2.2~5.0V 32K 1K 96 6 4*8bit 5 (3+1)*12bit 4*8bit - SOP8

产品简介:

       HS23P2710是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内部包含一个12位的ADC,一个1K*16-bit的EPROM,一个256Byte的EEPROM。



CPU特性:

        ◆  除了跳转指令2个指令周期外,其他指令都是一个指令周期

        ◆  1K*16位片内EPROM

        ◆  256Byte的EEPROM

        ◆  可直接、间接寻址

        ◆  4个8位定时器:

              TC0:PWM0/ Buzzer输出。

              TC1:PWM1/ Buzzer输出。 

              TC2:PWM2/ Buzzer输出 

              TC3:PWM3(PWM占空比可配置为1/256)。

        ◆  内置上电复位,掉电复位

        ◆  内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT

        ◆  内置可预分频WDT

        ◆  两种振荡模式

              内置高速振荡器16MHz

              内置低速振荡器32K

        ◆  一个安全位(代码寄存器中)保护程序不被读出

        ◆  96*8 bit SRAM

        ◆  3组标准双向I/O端口

        ◆  5级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆  5种可用中断:TC0、TC1、TC2、TC3、ADC

        ◆  ADC

               3个外部ADC输入

               1个内部电池检测

               内部AD参考电压(VDD、4V、3V、2V)

        ◆  内置可校准16MHz振荡器(最大可配置为24MHz频率,且频率可通过寄存器软件调节)



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HS23P3411 16MHz 2.2~5.0V 32K 2K 96 12 4*8bit 5 (5+1)*12bit 4*8bit - SOP14

产品简介:

       HS23P3411是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位雾化器专用芯片,它内部包含一个12位的ADC,一个2K*16-bit的EPROM。



CPU特性:

        ◆  除了跳转指令2个指令周期外,其他指令都是一个指令周期

        ◆  2K*16位片内EPROM

        ◆  可直接、间接寻址

        ◆  4个8位定时器:

              TC0:外部事件计数器/PWM0/ Buzzer输出。

              TC1:外部事件计数器/PWM1/ Buzzer输出。 

              TC2:外部事件计数器/PWM2/ Buzzer输出 

              TC3:外部事件计数器/PWM3(PWM占空比可配置为1/256)。

        ◆  内置上电复位,掉电复位

        ◆  内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT

        ◆  内置可预分频WDT

        ◆  两种振荡模式

              内置高速振荡器16MHz

              内置低速振荡器32K

        ◆  一个安全位(代码寄存器中)保护程序不被读出

        ◆  96*8 bit SRAM

        ◆  3组标准双向I/O端口

        ◆  5级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆  7种可用中断

               5个内部中断:TC0、TC1、TC2、TC3、ADC

        ◆  2个外部中断:INT0,INT1

        ◆  ADC

               5个外部ADC输入

               1个内部电池检测

               内部AD参考电压(VDD、4V、3V、2V)

        ◆  内置可校准16MHz振荡器(最大可配置为24MHz频率,且频率可通过寄存器软件调节)

        ◆  家居雾化器专用芯片



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HS23P2710E 16MHz 2.2~5.0V 32K 1K 96 6 4*8bit 5 (3+1)*12bit 4*8bit 256*8 SOP8

产品简介:

       HS23P2710E是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内部包含一个12位的ADC,一个1K*16-bit的EPROM,一个256Byte的EEPROM。



CPU特性:

        ◆ 除了跳转指令2个指令周期外,其他指令都是一个指令周期

        ◆  1K*16位片内EPROM

        ◆  256Byte的EEPROM

        ◆  可直接、间接寻址

        ◆  4个8位定时器:

              TC0:PWM0/ Buzzer输出。

              TC1:PWM1/ Buzzer输出。 

              TC2:PWM2/ Buzzer输出 

              TC3:PWM3(PWM占空比可配置为1/256)。

        ◆  内置上电复位,掉电复位

        ◆  内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT

        ◆  内置可预分频WDT

        ◆  两种振荡模式

              内置高速振荡器16MHz

              内置低速振荡器32K

        ◆  一个安全位(代码寄存器中)保护程序不被读出

        ◆  96*8 bit SRAM

        ◆  3组标准双向I/O端口

        ◆  5级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆  5种可用中断:TC0、TC1、TC2、TC3、ADC

              ADC

               3个外部ADC输入

               1个内部电池检测

               内部AD参考电压(VDD、4V、3V、2V)

        ◆  内置可校准16MHz振荡器(最大可配置为24MHz频率,且频率可通过寄存器软件调节)



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