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普通红外型电路

Part No. VDD Inbuilt RC ROM RAM I/O Keys Package
HS3068 2.0~3.6V 4MHz±1.0% 1K 40 6 25(T-KEY) SOP8

产品简介:

        HS3068是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内部包含一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(ROM)。有14位选项位可满足用户要求,其中的保护位可用来防止程序被读出,由于有ROM,HS3068提供给用户一个方便的开发和检验他们的程序的环境。可用自制编译器进行转换。


CPU特性:

        ◆ 宽工作电压范围:2.0V~3.6V

        ◆ 工作温度范围:0℃~80℃

        ◆ 工作频率范围:内置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗:在休眠模式时为1uA

        ◆ 1K*14位片内ROM

        ◆ 一个安全位(代码寄存器中)保护程序不被读出

        ◆ 32*8bits片内寄存器组(SRAM,一般寄存器)

        ◆ 2组双向标准I/O端口

        ◆ 3级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆ 节能模式(SLEEP模式)

        ◆ 每个指令周期为两个时钟周期,99.9%的指令为单周期指令

        ◆ T-MODE型模式时,最多可形成25个按键

        ◆ M-MODE型时,最多可形成16个按键

        ◆ 可以作为通用MCU使用

        ◆ 不可间接寻址

        ◆ 端口低电平变化唤醒及扩电源扩REM高电平唤醒

        ◆ 驱动可选(240mA,280mA,340mA)

        ◆ 省电解电容可选。



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HS9068 2.0~3.6V 4MHz±1.0% 1K 40 6 25(T-KEY) SOP8

产品简介:

        HS9068是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内部包含一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(ROM)。有14位选项位可满足用户要求,其中的保护位可用来防止程序被读出,由于有ROM,HS9068提供给用户一个方便的开发和检验他们的程序的环境。可用自制编译器进行转换。


CPU特性:

        ◆ 宽工作电压范围:2.0V~3.6V

        ◆ 工作温度范围:0℃~80℃

        ◆ 工作频率范围:内置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗:在休眠模式时为1uA

        ◆ 1K*14位片内ROM

        ◆ 一个安全位(代码寄存器中)保护程序不被读出

        ◆ 32*8bits片内寄存器组(SRAM,一般寄存器)

        ◆ 2组双向标准I/O端口

        ◆ 3级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆ 节能模式(SLEEP模式)

        ◆ 每个指令周期为两个时钟周期,99.9%的指令为单周期指令

        ◆ T-MODE型模式时,最多可形成25个按键

        ◆ M-MODE型时,最多可形成16个按键

        ◆ 可以作为通用MCU使用

        ◆ 不可间接寻址

        ◆ 端口低电平变化唤醒及扩电源扩REM高电平唤醒

        ◆ 驱动可选(240mA,280mA,340mA)

        ◆ 省电解电容可选。


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HS9060P 2.0~3.6V 4MHz±1.0% 1K 40 8 42(T-KEY) ESSOP10

产品简介:

        该芯片采用 OTP 工艺制造,高性能、低功耗红外发射电路,T-KEY 三角矩阵键盘,最多可组成 52 个按键。除了能实现 50 多种常用基本码型外,还可实现一些特殊码型。配合 HS9060P 开发软件及烧写器,可极大提高用户产品开发质量,缩短开发周期。


CPU特性:

        ◆ 低静态电流:<2uA

        ◆ 工作电压范围宽:2.0V~3.6V

        ◆ 外部线路元器件少

        ◆ 支持内置或外接三极管驱动发射头

        ◆ 内置振荡电路,误差<=±1.5%

        ◆ 软件编程容易,开发效率高

        ◆ 发码驱动 500mA(3V0.2VDD)

        ◆ ESSSOP10 封装



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HS9064P 2.0~3.6V 4MHz±1.0% 1K 40 12 88(T-KEY) SOP14

产品简介:

        HS9064P是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内部包含一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有14位选项位可满足用户要求,其中的保护位可用来防止程序被读出,由于有OTP-ROM,HS9064P提供给用户一个方便的开发和检验他们的程序的环境。可用自制编译器进行转换。


CPU特性:

        ◆ 宽工作电压范围:2.0V~3.6V

        ◆ 工作温度范围:0℃~80℃

        ◆ 工作频率范围:内置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗:在休眠模式时为1uA

        ◆ 1K*14位片内ROM

        ◆ 一个安全位(代码寄存器中)保护程序不被读出

        ◆ 40*8bits片内寄存器组(SRAM,一般寄存器)

        ◆ 2组双向标准I/O端口

        ◆ 3级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆ 节能模式(SLEEP模式)

        ◆ 每个指令周期为两个时钟周期,99.9%的指令为单周期指令

        ◆ T-MODE型模式时,最多可形成88(11*10/2+11+11+11)个按键

        ◆ M-MODE型时,最多可形成36(6*5+6)个按键

        ◆ 可以作为通用MCU使用

        ◆ 不可间接寻址

        ◆ 端口低电平变化唤醒及扩电源扩REM高电平唤醒

        ◆ 驱动可选(300mA~500mA)

        ◆ 省电解电容可选。



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HS3000P 2.0~3.6V 4MHz±1.0% 0.5K 40 14 91(T-KEY) SOP16

产品简介:

        HS3000P是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内部包含一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有14位选项位可满足用户要求,其中的保护位可用来防止程序被读出,由于有OTP-ROM,HS3000P提供给用户一个方便的开发和检验他们的程序的环境。可用自制编译器进行转换。


CPU特性:

        ◆ 宽工作电压范围:2.0V~3.6V

        ◆ 工作温度范围:0℃~80℃

        ◆ 工作频率范围:内置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗:在休眠模式时为1uA

        ◆ 1K*14位片内ROM

        ◆ 一个安全位(代码寄存器中)保护程序不被读出

        ◆ 40*8bits片内寄存器组(SRAM,一般寄存器)

        ◆ 2组双向标准I/O端口

        ◆ 3级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆ 节能模式(SLEEP模式)

        ◆ 每个指令周期为两个时钟周期,99.9%的指令为单周期指令

        ◆ T-MODE型模式时,最多可形成91个按键

        ◆ M-MODE型时,最多可形成49(6*7+7)个按键

        ◆ 可以作为通用MCU使用

        ◆ 不可间接寻址

        ◆ 端口低电平变化唤醒及扩电源扩REM高电平唤醒

        ◆ 驱动可选(300mA~500mA)

        ◆ 省电解电容可选。



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HS9000P 2.0~3.6V 4MHz±1.0% 0.5K 40 14 91(T-KEY) SOP16

产品简介:

        HS9000P是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内部包含一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有14位选项位可满足用户要求,其中的保护位可用来防止程序被读出,由于有OTP-ROM,HS9000P提供给用户一个方便的开发和检验他们的程序的环境。可用自制编译器进行转换。


CPU特性:

        ◆ 宽工作电压范围:2.0V~3.6V

        ◆ 工作温度范围:0℃~80℃

        ◆ 工作频率范围:内置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗:在休眠模式时为1uA

        ◆ 1K*14位片内ROM

        ◆ 一个安全位(代码寄存器中)保护程序不被读出

        ◆ 40*8bits片内寄存器组(SRAM,一般寄存器)

        ◆ 2组双向标准I/O端口

        ◆ 3级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆ 节能模式(SLEEP模式)

        ◆ 每个指令周期为两个时钟周期,99.9%的指令为单周期指令

        ◆ T-MODE型模式时,最多可形成91个按键

        ◆ M-MODE型时,最多可形成49(6*7+7)个按键

        ◆ 可以作为通用MCU使用

        ◆ 不可间接寻址

        ◆ 端口低电平变化唤醒及扩电源扩REM高电平唤醒

        ◆ 驱动可选(300mA~500mA)

        ◆ 省电解电容可选。



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HS2303-P 2.0~3.6V 4MHz±1.0% 1K 40 14 91(T-KEY) SOP16

产品简介:

        HS2303-P是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内部包含一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有14位选项位可满足用户要求,其中的保护位可用来防止程序被读出,由于有OTP-ROM,HS2303-P提供给用户一个方便的开发和检验他们的程序的环境。可用自制编译器进行转换。


CPU特性:

        ◆ 宽工作电压范围:2.0V~3.6V

        ◆ 工作温度范围:0℃~70℃

        ◆ 工作频率范围:内置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗:在休眠模式时为1uA

        ◆ 1K*14位片内ROM

        ◆ 一个安全位(代码寄存器中)保护程序不被读出

        ◆ 40*8bits片内寄存器组(SRAM,一般寄存器)

        ◆ 2组双向标准I/O端口

        ◆ 3级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆ 节能模式(SLEEP模式)

        ◆ 每个指令周期为两个时钟周期,99.9%的指令为单周期指令

        ◆ T-MODE型模式时,最多可形成52 (8*7/2+8+8+8)个按键

        ◆ M-MODE型时,最多可形成20(4*4+4)个按键

        ◆ 可以作为通用MCU使用

        ◆ 不可间接寻址

        ◆ 端口低电平变化唤醒及扩电源扩REM高电平唤醒

        ◆ 驱动可选(240mA,280mA,340mA)

        ◆ 省电解电容可选。



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HS2313-P 2.0~3.6V 4MHz±1.0% 2K 32 14 91(T-KEY) SOP16

产品简介:

        HS2313-P是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内部包含一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有14位选项位可满足用户要求,其中的保护位可用来防止程序被读出,由于有OTP-ROM,HS2303-P提供给用户一个方便的开发和检验他们的程序的环境。可用自制编译器进行转换。


CPU特性:

        ◆ 宽工作电压范围:2.0V~3.6V

        ◆ 工作温度范围:0℃~70℃

        ◆ 工作频率范围:内置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗:在休眠模式时为1uA

        ◆ 1K*14位片内ROM

        ◆ 一个安全位(代码寄存器中)保护程序不被读出

        ◆ 40*8bits片内寄存器组(SRAM,一般寄存器)

        ◆ 2组双向标准I/O端口

        ◆ 3级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆ 节能模式(SLEEP模式)

        ◆ 每个指令周期为两个时钟周期,99.9%的指令为单周期指令

        ◆ T-MODE型模式时,最多可形成52 (8*7/2+8+8+8)个按键

        ◆ M-MODE型时,最多可形成20(4*4+4)个按键

        ◆ 可以作为通用MCU使用

        ◆ 不可间接寻址

        ◆ 端口低电平变化唤醒及扩电源扩REM高电平唤醒

        ◆ 驱动可选(240mA,280mA,340mA)

        ◆ 省电解电容可选。



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HS9100-T 2.0~3.6V 4MHz±1.0% 1K 40 14 91(T-KEY) SOP16

产品简介:

        HS9100-T是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内部包含一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有14位选项位可满足用户要求,其中的保护位可用来防止程序被读出,由于有OTP-ROM,HS9100-T提供给用户一个方便的开发和检验他们的程序的环境。可用自制编译器进行转换。


CPU特性:

        ◆ 宽工作电压范围:2.0V~3.6V

        ◆ 工作温度范围:0℃~80℃

        ◆ 工作频率范围:内置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗:在休眠模式时为1uA

        ◆ 1K*14位片内ROM

        ◆ 一个安全位(代码寄存器中)保护程序不被读出

        ◆ 40*8bits片内寄存器组(SRAM,一般寄存器)

        ◆ 2组双向标准I/O端口

        ◆ 3级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆ 节能模式(SLEEP模式)

        ◆ 每个指令周期为两个时钟周期,99.9%的指令为单周期指令

        ◆ T-MODE型模式时,最多可形成91个按键

        ◆ M-MODE型时,最多可形成49(6*7+7)个按键

        ◆ 可以作为通用MCU使用

        ◆ 不可间接寻址

        ◆ 端口低电平变化唤醒及扩电源扩REM高电平唤醒

        ◆ 驱动可选(300mA~500mA)

        ◆ 省电解电容可选。



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HS9110-T 2.0~3.6V 4MHz±1.0% 2K 32 14 91(T-KEY) SOP16

产品简介:

        HS9110-T是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内部包含一个2K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有14位选项位可满足用户要求,其中的保护位可用来防止程序被读出,由于有OTP-ROM,HS9110-T提供给用户一个方便的开发和检验他们的程序的环境。可用自制编译器进行转换。

CPU特性:

        ◆ 宽工作电压范围:2.0V~3.6V

        ◆ 工作温度范围:0℃~80℃

        ◆ 工作频率范围:内置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗:在休眠模式时为1uA

        ◆ 2K*14位片内ROM

        ◆ 一个安全位(代码寄存器中)保护程序不被读出

        ◆ 40*8bits片内寄存器组(SRAM,一般寄存器)

        ◆ 2组双向标准I/O端口

        ◆ 3级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆ 节能模式(SLEEP模式)

        ◆ 每个指令周期为两个时钟周期,99.9%的指令为单周期指令

        ◆ T-MODE型模式时,最多可形成91个按键

        ◆ M-MODE型时,最多可形成49(6*7+7)个按键

        ◆ 可以作为通用MCU使用

        ◆ 不可间接寻址

        ◆ 端口低电平变化唤醒及扩电源扩REM高电平唤醒

        ◆ 驱动可选(300mA~500mA)

        ◆ 省电解电容可选。



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