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PRODUCT12位ADC FLASH
Part No. | IRC | VDD | ROM | RAM | I/O | TIMER | ADC | PWM | E2 | OPA | COMP | InterFace | Package | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HS16F2512 | 12MHz | 2.2 ~5.5V |
4K | 256 | 12/14 | 2*8bit 2*12bit | (11+2)*12bit | 6*12bit | 128*8 | - | - | UART | SOP14 /SOP16 |
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产品简介:HS16F2512是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内建了4K*14-bit的FLASH、128 Byte的EEPROM、256Byte 的SRAM,包含6个带死区12位PWM及1个8位定时器(TC1_RTC),含有ADC模块,一组UART。 CPU特性:◆ 39条RISC指令,除了跳转指令是两个周期,所有的指令都是单周期 ◆ 兼容PIC指令 ◆ 14位宽指令,8位宽数据路径,8级深度硬件堆栈 ◆ 支持GOTO指令2k内ROM跳转、支持2k内ROM子程序调用,超过2k需操作PCLATH ◆ 4K×14的程序存储器 ◆ 128 × 8位 EEPROM数据存储区 ◆ 256 × 8位通用寄存器 ◆ 直接、间接寻址方式 ◆ 1个可预分频器的8位计数器TMR0 ◆ 1个可预分频器的8位RTC定时器/普通定时器TC1 ◆ 1个可预分频的12位定时钟/计数器T2,可配置6路12位PWM ◆ 11通道的12位ADC模块 ◆ 1组独立UART串口,TX/RX可独立使用,且可映射不同端口,可参与唤醒 ◆ 内部上电复位电路(POR)、内置欠压复位(LVR) ◆ 上电复位定时器(PWRT)和振荡器启动定时器(OST) ◆ 14个I/O口,可配置上拉、下拉和开漏等状态 ◆ 4种工作模式可任意切换:正常模式、低速模式、睡眠模式、绿色模式 ◆ 唤醒睡眠:INT/INT1管脚中断、PA/PB的输入状态改变、TC1溢出唤醒 ◆ 唤醒绿色:INT/INT1管脚中断、PA/PB的输入状态改变、TC1溢出唤醒、T2溢出唤醒 ◆ 省电休眠模式,可编程代码保护 ◆ 可选的振荡器选项:内部高速振荡器、内部低速振荡器、外部低速晶体振荡器(LP)、外部高速晶体振荡器(HS/XT)、RTC模式 ◆ 9种可用中断:TMR0溢出中断、TC1溢出中断、T2溢出中断、PA/PB端口变化中断、INT0中断、INT1中断、ADC中断、UART收、发中断 ◆ 宽工作电压范围:2.2V至5.5V ◆ 可支持 C编译,C仿真,可在线调试 ◆ 支持BOOT功能,所有区间均可BOOT ◆ 8M/16M主频可选,且频率可软件配置 ◆ 端口驱动2级可选 了解更多 |
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HS26F003T | 12MHz | 2.2 ~5.5V |
8K | 384 | 18 | 1*8bit 1*12bit 3*16bit | (11+3)*12bit | 3*8bit 3*12bit 3*16bit | 256*8 | 3 | 1 | SPI /UART |
TSSOP20 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介:HS26F003T是一款采用低耗高速CMOS工艺制造的全集成AD型触控芯片,它包含一个8K Word ROM,256 Byte的EEPROM,内部集成了一个12位ADC,触摸按键模块,且有着丰富的通讯接口。 CPU特性:◆ 工作电压2.0~5.5v(12M/14M主频) ◆ 工作温度范围:-40℃~85℃ ◆ 8K Word ROM ◆ 256 Byte EEPROM ◆ 384 Byte RAM ◆ 最大18个IO口 ◆ 最大14通道触摸按键 ◆ 最大11通道的12位AD ◆ 所有端口驱动可选 ◆ 6路12位PWM,可配置为2组带死区控制的PWM ◆ 1个UART通讯口 ◆ 1个SPI通讯口 ◆ 集成端口比较器,可比较端口电压 ◆ 集成一个增益可调运放,可放大端口信号 ◆ 可配置内部高速,内部低速,外部高速,外部低速的系统时钟, ◆ 内部高速最大24M/28Mhz ◆ 内置WDT定时器 ◆ 包含端口变化唤醒及定时器溢出唤醒 ◆ 包括高速,低速,绿色,休眠四种模式 ◆ 包含上电复位,掉电复位(可选) 了解更多 |
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HS16F2612 | 12MHz | 2.2 ~5.5V |
4K | 384 | 6 | 2*8bit 2*12bit | (5+2)*12bit | 5*12bit | 128*8 | - | - | UART | SOP8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介:HS16F2612是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内建了4K*14-bit的FLASH、128 Byte的EEPROM、336Byte 的SRAM,包含3个独立12位PWM(T2),6个带死区12位PWM(T3)及1个8位定时器(TC1_RTC),含有ADC模块,两组UART。 CPU特性:◆ 39条RISC指令,除了跳转指令是两个周期,所有的指令都是单周期 ◆ 兼容PIC指令 ◆ 14位宽指令,8位宽数据路径,8级深度硬件堆栈 ◆ 支持GOTO指令2k内ROM跳转、支持2k内ROM子程序调用,超过2k需操作PCLATH ◆ 4K×14的程序存储器 ◆ 128 × 8位 EEPROM数据存储区 ◆ 336 × 8位通用寄存器 ◆ 直接、间接寻址方式 ◆ 1个可预分频器的8位计数器TMR0 ◆ 1个可预分频器的8位RTC定时器/普通定时器TC1 ◆ 1个可预分频的12位定时钟/计数器TC2,可配置6路12位PWM ◆ 1个可预分频的12位定时钟/计数器TC3,可配置3路12位PWM ◆ 12通道的12位ADC模块 ◆ 2组独立UART串口,TX/RX可独立使用,且可映射不同端口,可参与唤醒 ◆ 内部上电复位电路(POR)、内置欠压复位(LVR) ◆ 上电复位定时器(PWRT)和振荡器启动定时器(OST) ◆ 3组18个I/O口(IOA/IOB/IOC),可配置上拉、下拉和开漏等状态,IOC无开漏 ◆ 4种工作模式可任意切换:正常模式、低速模式、睡眠模式、绿色模式 ◆ 唤醒睡眠:INT/INT1管脚中断、PA/PB的输入状态改变、TC1溢出唤醒 ◆ 唤醒绿色:INT/INT1管脚中断、PA/PB的输入状态改变、TC1溢出唤醒、T2溢出唤醒、T3溢出唤醒 ◆ 省电休眠模式,可编程代码保护 ◆ 可选的振荡器选项:内部高速振荡器、内部低速振荡器、外部低速晶体振荡器(LP)、外部高速晶体振荡器(HS/XT)、RTC模式 ◆ 12种可用中断:TMR0溢出中断、TC1溢出中断、T2溢出中断、T3溢出中断、PA/PB端口变化中断、INT0中断、INT1中断、ADC中断、两组UART收、发中断 ◆ 宽工作电压范围:2.2V至5.5V ◆ 可支持 C编译,C仿真,可在线调试 ◆ 支持BOOT功能,所有区间均可BOOT ◆ 8M/16M主频可选,且频率可软件配置 ◆ 端口驱动2级可选 了解更多 |
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HS16F2612 | 12MHz | 2.2 ~5.5V |
4K | 384 | 12 | 2*8bit 2*12bit | (10+2)*12bit | 7*12bit | 128*8 | - | - | UART | SOP14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介:HS16F2612是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内建了4K*14-bit的FLASH、128 Byte的EEPROM、336Byte 的SRAM,包含3个独立12位PWM(T2),6个带死区12位PWM(T3)及1个8位定时器(TC1_RTC),含有ADC模块,两组UART。 CPU特性:◆ 39条RISC指令,除了跳转指令是两个周期,所有的指令都是单周期 ◆ 兼容PIC指令 ◆ 14位宽指令,8位宽数据路径,8级深度硬件堆栈 ◆ 支持GOTO指令2k内ROM跳转、支持2k内ROM子程序调用,超过2k需操作PCLATH ◆ 4K×14的程序存储器 ◆ 128 × 8位 EEPROM数据存储区 ◆ 336 × 8位通用寄存器 ◆ 直接、间接寻址方式 ◆ 1个可预分频器的8位计数器TMR0 ◆ 1个可预分频器的8位RTC定时器/普通定时器TC1 ◆ 1个可预分频的12位定时钟/计数器TC2,可配置6路12位PWM ◆ 1个可预分频的12位定时钟/计数器TC3,可配置3路12位PWM ◆ 12通道的12位ADC模块 ◆ 2组独立UART串口,TX/RX可独立使用,且可映射不同端口,可参与唤醒 ◆ 内部上电复位电路(POR)、内置欠压复位(LVR) ◆ 上电复位定时器(PWRT)和振荡器启动定时器(OST) ◆ 3组18个I/O口(IOA/IOB/IOC),可配置上拉、下拉和开漏等状态,IOC无开漏 ◆ 4种工作模式可任意切换:正常模式、低速模式、睡眠模式、绿色模式 ◆ 唤醒睡眠:INT/INT1管脚中断、PA/PB的输入状态改变、TC1溢出唤醒 ◆ 唤醒绿色:INT/INT1管脚中断、PA/PB的输入状态改变、TC1溢出唤醒、T2溢出唤醒、T3溢出唤醒 ◆ 省电休眠模式,可编程代码保护 ◆ 可选的振荡器选项:内部高速振荡器、内部低速振荡器、外部低速晶体振荡器(LP)、外部高速晶体振荡器(HS/XT)、RTC模式 ◆ 12种可用中断:TMR0溢出中断、TC1溢出中断、T2溢出中断、T3溢出中断、PA/PB端口变化中断、INT0中断、INT1中断、ADC中断、两组UART收、发中断 ◆ 宽工作电压范围:2.2V至5.5V ◆ 可支持 C编译,C仿真,可在线调试 ◆ 支持BOOT功能,所有区间均可BOOT ◆ 8M/16M主频可选,且频率可软件配置 ◆ 端口驱动2级可选 了解更多 |
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HS16F2612 | 12MHz | 2.2 ~5.5V |
4K | 384 | 14 | 2*8bit 2*12bit | (11+2)*12bit | 7*12bit | 128*8 | - | - | UART | SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介:HS16F2612是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内建了4K*14-bit的FLASH、128 Byte的EEPROM、336Byte 的SRAM,包含3个独立12位PWM(T2),6个带死区12位PWM(T3)及1个8位定时器(TC1_RTC),含有ADC模块,两组UART。 CPU特性:◆ 39条RISC指令,除了跳转指令是两个周期,所有的指令都是单周期 ◆ 兼容PIC指令 ◆ 14位宽指令,8位宽数据路径,8级深度硬件堆栈 ◆ 支持GOTO指令2k内ROM跳转、支持2k内ROM子程序调用,超过2k需操作PCLATH ◆ 4K×14的程序存储器 ◆ 128 × 8位 EEPROM数据存储区 ◆ 336 × 8位通用寄存器 ◆ 直接、间接寻址方式 ◆ 1个可预分频器的8位计数器TMR0 ◆ 1个可预分频器的8位RTC定时器/普通定时器TC1 ◆ 1个可预分频的12位定时钟/计数器TC2,可配置6路12位PWM ◆ 1个可预分频的12位定时钟/计数器TC3,可配置3路12位PWM ◆ 12通道的12位ADC模块 ◆ 2组独立UART串口,TX/RX可独立使用,且可映射不同端口,可参与唤醒 ◆ 内部上电复位电路(POR)、内置欠压复位(LVR) ◆ 上电复位定时器(PWRT)和振荡器启动定时器(OST) ◆ 3组18个I/O口(IOA/IOB/IOC),可配置上拉、下拉和开漏等状态,IOC无开漏 ◆ 4种工作模式可任意切换:正常模式、低速模式、睡眠模式、绿色模式 ◆ 唤醒睡眠:INT/INT1管脚中断、PA/PB的输入状态改变、TC1溢出唤醒 ◆ 唤醒绿色:INT/INT1管脚中断、PA/PB的输入状态改变、TC1溢出唤醒、T2溢出唤醒、T3溢出唤醒 ◆ 省电休眠模式,可编程代码保护 ◆ 可选的振荡器选项:内部高速振荡器、内部低速振荡器、外部低速晶体振荡器(LP)、外部高速晶体振荡器(HS/XT)、RTC模式 ◆ 12种可用中断:TMR0溢出中断、TC1溢出中断、T2溢出中断、T3溢出中断、PA/PB端口变化中断、INT0中断、INT1中断、ADC中断、两组UART收、发中断 ◆ 宽工作电压范围:2.2V至5.5V ◆ 可支持 C编译,C仿真,可在线调试 ◆ 支持BOOT功能,所有区间均可BOOT ◆ 8M/16M主频可选,且频率可软件配置 ◆ 端口驱动2级可选 了解更多 |
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HS16F2612 | 12MHz | 2.2 ~5.5V |
4K | 384 | 18 | 2*8bit 2*12bit | (12+2)*12bit | 8*12bit | 128*8 | - | - | UART | TSSOP20 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介:HS16F2612是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内建了4K*14-bit的FLASH、128 Byte的EEPROM、336Byte 的SRAM,包含3个独立12位PWM(T2),6个带死区12位PWM(T3)及1个8位定时器(TC1_RTC),含有ADC模块,两组UART。 CPU特性:◆ 39条RISC指令,除了跳转指令是两个周期,所有的指令都是单周期 ◆ 兼容PIC指令 ◆ 14位宽指令,8位宽数据路径,8级深度硬件堆栈 ◆ 支持GOTO指令2k内ROM跳转、支持2k内ROM子程序调用,超过2k需操作PCLATH ◆ 4K×14的程序存储器 ◆ 128 × 8位 EEPROM数据存储区 ◆ 336 × 8位通用寄存器 ◆ 直接、间接寻址方式 ◆ 1个可预分频器的8位计数器TMR0 ◆ 1个可预分频器的8位RTC定时器/普通定时器TC1 ◆ 1个可预分频的12位定时钟/计数器TC2,可配置6路12位PWM ◆ 1个可预分频的12位定时钟/计数器TC3,可配置3路12位PWM ◆ 12通道的12位ADC模块 ◆ 2组独立UART串口,TX/RX可独立使用,且可映射不同端口,可参与唤醒 ◆ 内部上电复位电路(POR)、内置欠压复位(LVR) ◆ 上电复位定时器(PWRT)和振荡器启动定时器(OST) ◆ 3组18个I/O口(IOA/IOB/IOC),可配置上拉、下拉和开漏等状态,IOC无开漏 ◆ 4种工作模式可任意切换:正常模式、低速模式、睡眠模式、绿色模式 ◆ 唤醒睡眠:INT/INT1管脚中断、PA/PB的输入状态改变、TC1溢出唤醒 ◆ 唤醒绿色:INT/INT1管脚中断、PA/PB的输入状态改变、TC1溢出唤醒、T2溢出唤醒、T3溢出唤醒 ◆ 省电休眠模式,可编程代码保护 ◆ 可选的振荡器选项:内部高速振荡器、内部低速振荡器、外部低速晶体振荡器(LP)、外部高速晶体振荡器(HS/XT)、RTC模式 ◆ 12种可用中断:TMR0溢出中断、TC1溢出中断、T2溢出中断、T3溢出中断、PA/PB端口变化中断、INT0中断、INT1中断、ADC中断、两组UART收、发中断 ◆ 宽工作电压范围:2.2V至5.5V ◆ 可支持 C编译,C仿真,可在线调试 ◆ 支持BOOT功能,所有区间均可BOOT ◆ 8M/16M主频可选,且频率可软件配置 ◆ 端口驱动2级可选 了解更多 |